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 名称:  电光调Q开关1-2
型号:  
单价:  ¥0.00
   3.高重复频率型技术参数:

型号

LY-CP-A

LY-CP-B

LY-CP-C

特点

备注

通光口径

3×3mm

4×4mm

5×5mm

1. 材料:BBORTP

2. 分布电容小

3. 受温度影响小

4. 开关时间短小于300ps,可300KHz工作

5. BBO透光范围:190-3300nm

6. RTP透光范围:350-4500nm

 

单程插入损耗

<2%

<2%

<2%

损伤阈值@1064nm10ns

850MW/CM²

850MW/CM²

600MW/CM²

消光比

2000:1

2000:1

100:1

电容

2pF

2pF

2pF

1/4波长电压@1064nm

3.8KV

4KV

1.5KV

单程通光畸变@633nm

/8

/8

/8

外形长度/直径

41/26

41/26

41/26

特点:

此系列Q开关适用于高重复频率电光调Q激光器,材料为BBO 或RTP。BBO Q开关为横向加压使用,基本上都是Z方向通光, X方向加压。由于其是单轴晶体所以在较大的温度变化范围内不存在静态双折射补偿问题。而且其热性能稳定,因温度变化引起的半波电压及折射率变化很小。此种开关的分布电容小,因而开关时间短,一般小于300ps,可在300kHz频率下工作。由于其高损伤阈值、弱的压电振铃效应以及低的插入损耗使得BBO晶体非常适用于高峰值功率、高重复频率半导体泵浦和灯泵浦电光调制固体激光器。BBO晶体的透光范围为190-3300nm;损伤阈值>850MW/cm2。此开关采用不锈钢外壳密封,有非常好的密封效果和防静电损伤、散热特性,窗口为镀增透膜的石英窗片,以提高开关使用寿命,配合高重频电光Q开关驱动源,可长期稳定运行。RTP电光Q开关是采用两块RTP晶体配对温度补偿设计,光束沿Y 或 X 轴传播,Z面镀电极,光束偏振沿通光面对角线方向。RTP是高重频电光Q开关的优选晶体,其应用范围可从350-4500nmRTP晶体相变点和电导率较低,单筹化处理较容易,具有抗光损伤阈值高,插入损耗低,无压电振铃效应,不潮解等特性。